창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIHP21N60EF-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIHP21N60EF | |
애플리케이션 노트 | Operation, FOM, and Guidelines for MOSFET Selection | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
주요제품 | 600 V EF Series MOSFETs | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 21A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 176m옴 @ 11A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 84nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2030pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 227W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 1,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIHP21N60EF-GE3 | |
관련 링크 | SIHP21N60, SIHP21N60EF-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
MCR01MRTJ683 | RES SMD 68K OHM 5% 1/16W 0402 | MCR01MRTJ683.pdf | ||
M83609 | M83609 ORIGINAL SMD or Through Hole | M83609.pdf | ||
R1172H381BT1F | R1172H381BT1F ricoh SMD or Through Hole | R1172H381BT1F.pdf | ||
1/2W4V3 | 1/2W4V3 ST SMD or Through Hole | 1/2W4V3.pdf | ||
TL034MNE4 | TL034MNE4 TI DIP14 | TL034MNE4.pdf | ||
AT2500BQL-25JI | AT2500BQL-25JI ATMEL PLCC44 | AT2500BQL-25JI.pdf | ||
UC1913C | UC1913C Uniden QFP64 | UC1913C.pdf | ||
AS6001 | AS6001 ACCEL TSSOP20 | AS6001.pdf | ||
M80B88CA | M80B88CA EPSON DIP | M80B88CA.pdf | ||
CA1-X0-02-846-211-C | CA1-X0-02-846-211-C CARLINGSWITCH SMD or Through Hole | CA1-X0-02-846-211-C.pdf | ||
AL88102DCSE | AL88102DCSE NA SMD or Through Hole | AL88102DCSE.pdf | ||
LMH0344 | LMH0344 NS TSSOP | LMH0344.pdf |