창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SIHP20N50E-GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SIHP20N50E | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 19A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 184m옴 @ 10A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 92nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1640pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 179W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SIHP20N50E-GE3 | |
| 관련 링크 | SIHP20N5, SIHP20N50E-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | MCR25JZHF1691 | RES SMD 1.69K OHM 1% 1/4W 1210 | MCR25JZHF1691.pdf | |
![]() | 2FI50G/100D | 2FI50G/100D FUJI SMD or Through Hole | 2FI50G/100D.pdf | |
![]() | 1004CS | 1004CS SC SOP8 | 1004CS.pdf | |
![]() | DMR08A-A | DMR08A-A SUNLED ROHS | DMR08A-A.pdf | |
![]() | VJ1210A102JXBT(1210-102J) | VJ1210A102JXBT(1210-102J) VISHAY 1210 | VJ1210A102JXBT(1210-102J).pdf | |
![]() | ST18-28(0803MY) | ST18-28(0803MY) CIT SSOP | ST18-28(0803MY).pdf | |
![]() | ILC8069 | ILC8069 MEDIATEK SMD | ILC8069.pdf | |
![]() | PT928-6C-F(6-1) | PT928-6C-F(6-1) N/A SMD or Through Hole | PT928-6C-F(6-1).pdf | |
![]() | JRS1901W | JRS1901W NAMAE SMD or Through Hole | JRS1901W.pdf | |
![]() | TRW53102 | TRW53102 HG SMD or Through Hole | TRW53102.pdf |