창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIHP18N50C-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIHP18N50C Packaging Information | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
주요제품 | SiHP18N50C/SiHG20N50C MOSFETs | |
PCN 조립/원산지 | SIL-073-2014-Rev-0 13/Jun/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1658 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 18A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 270m옴 @ 10A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 76nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2942pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 223W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | SIHP18N50CE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIHP18N50C-E3 | |
관련 링크 | SIHP18N, SIHP18N50C-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | T491B335K016AS | 3.3µF Molded Tantalum Capacitors 16V 1411 (3528 Metric) 3.5 Ohm 0.138" L x 0.110" W (3.50mm x 2.80mm) | T491B335K016AS.pdf | |
![]() | STF2LN60K3 | MOSFET N CH 600V 2A TO-220FP | STF2LN60K3.pdf | |
![]() | RT0603CRC0722K6L | RES SMD 22.6K OHM 1/10W 0603 | RT0603CRC0722K6L.pdf | |
![]() | 40407L | 40407L ORIGINAL CAN | 40407L.pdf | |
![]() | TC74AC32FT | TC74AC32FT TOSHIBA TSSOP14 | TC74AC32FT.pdf | |
![]() | 74ABT00D-SMD | 74ABT00D-SMD ORIGINAL SMD or Through Hole | 74ABT00D-SMD.pdf | |
![]() | DW9276B/IG/LCIT | DW9276B/IG/LCIT MITEL QFN | DW9276B/IG/LCIT.pdf | |
![]() | RJ-9X205 | RJ-9X205 COPAL SMD or Through Hole | RJ-9X205.pdf | |
![]() | AGC-2-1/2 | AGC-2-1/2 ORIGINAL SMD or Through Hole | AGC-2-1/2.pdf | |
![]() | ERX1HZJR15H | ERX1HZJR15H ORIGINAL SMD or Through Hole | ERX1HZJR15H.pdf |