창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIHP16N50C-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIH(P,B,F)16N50C | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | SIL-073-2014-Rev-0 13/Jun/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 16A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 380m옴 @ 8A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 68nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1900pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 250W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 1,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIHP16N50C-E3 | |
관련 링크 | SIHP16N, SIHP16N50C-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | RCP1206B56R0JED | RES SMD 56 OHM 5% 11W 1206 | RCP1206B56R0JED.pdf | |
![]() | 2715979 | 2715979 PHOEMNIX SMD or Through Hole | 2715979.pdf | |
![]() | TMP87M36N | TMP87M36N TOSHIBA DIP | TMP87M36N.pdf | |
![]() | OP497FS-REEL | OP497FS-REEL ADI Call | OP497FS-REEL.pdf | |
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![]() | SAA6012-1A | SAA6012-1A ITT QFP | SAA6012-1A.pdf | |
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![]() | IRHD420 | IRHD420 IR to-254 | IRHD420.pdf | |
![]() | 7486R10KL.25. | 7486R10KL.25. s SMD or Through Hole | 7486R10KL.25..pdf | |
![]() | SMQ10VB153M16X35LL | SMQ10VB153M16X35LL UMITEDCHEMI-CON DIP | SMQ10VB153M16X35LL.pdf |