창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SIHP16N50C-E3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SIH(P,B,F)16N50C | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| PCN 조립/원산지 | SIL-073-2014-Rev-0 13/Jun/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 16A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 380m옴 @ 8A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 68nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1900pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 250W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SIHP16N50C-E3 | |
| 관련 링크 | SIHP16N, SIHP16N50C-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | S0603-10NH1B | 10nH Unshielded Wirewound Inductor 700mA 160 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | S0603-10NH1B.pdf | |
![]() | PTN1206E1980BST1 | RES SMD 198 OHM 0.1% 0.4W 1206 | PTN1206E1980BST1.pdf | |
![]() | CX27460BG | CX27460BG CON SMD or Through Hole | CX27460BG.pdf | |
![]() | EX038E-16.000M | EX038E-16.000M KSS DIP8 | EX038E-16.000M.pdf | |
![]() | EL-SKLT | EL-SKLT KODENSHI SMD or Through Hole | EL-SKLT.pdf | |
![]() | BB182LX,315 | BB182LX,315 NXP SMD or Through Hole | BB182LX,315.pdf | |
![]() | RTA02-4D104JTH | RTA02-4D104JTH RALEC 8P4R | RTA02-4D104JTH.pdf | |
![]() | T-7689---FL-DB | T-7689---FL-DB AGE SMD or Through Hole | T-7689---FL-DB.pdf | |
![]() | AOB432 | AOB432 AO TO263 | AOB432 .pdf | |
![]() | 78253/55MV | 78253/55MV C&D SOP-6 | 78253/55MV.pdf | |
![]() | l74s161 | l74s161 ORIGINAL DIP | l74s161.pdf | |
![]() | IXFN35N100U1 | IXFN35N100U1 IXYS SMD or Through Hole | IXFN35N100U1.pdf |