창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIHP16N50C-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIH(P,B,F)16N50C | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | SIL-073-2014-Rev-0 13/Jun/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 16A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 380m옴 @ 8A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 68nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1900pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 250W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 1,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIHP16N50C-E3 | |
관련 링크 | SIHP16N, SIHP16N50C-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
DSC1101BE1-012.5000 | 12.5MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.6 V 35mA Standby (Power Down) | DSC1101BE1-012.5000.pdf | ||
EM3588-STACK | BREADBOARD STAC-KUP EM3588 RCM | EM3588-STACK.pdf | ||
U2 | U2 MPS SOT23-6 | U2.pdf | ||
MMBT8550LT1G-1A | MMBT8550LT1G-1A ON SOT-23-3 | MMBT8550LT1G-1A.pdf | ||
SMBJ75CA/52 | SMBJ75CA/52 VISHAY DO-214AA | SMBJ75CA/52.pdf | ||
ST100-30T1MI | ST100-30T1MI VISHAY SMD or Through Hole | ST100-30T1MI.pdf | ||
10UF6VA | 10UF6VA AVX SMD or Through Hole | 10UF6VA.pdf | ||
493-5010-002 | 493-5010-002 Teradyne SMD or Through Hole | 493-5010-002.pdf | ||
EPM5032JM883 | EPM5032JM883 ALTERA PLCC | EPM5032JM883.pdf | ||
429100 | 429100 HARRIS DIP40 | 429100.pdf | ||
HD6433712D55H3D1 | HD6433712D55H3D1 HD QFP | HD6433712D55H3D1.pdf | ||
MAX663CPA DIP-8 | MAX663CPA DIP-8 MAXIM SMD or Through Hole | MAX663CPA DIP-8.pdf |