창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SIHP15N60E-GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SiHF15N60E | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| PCN 조립/원산지 | SIL-079-2014-Rev-0 26/Sep/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 15A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 280m옴 @ 8A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 78nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1350pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 180W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SIHP15N60E-GE3 | |
| 관련 링크 | SIHP15N6, SIHP15N60E-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | C322C104M1R5TA | 0.10µF 100V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.200" L x 0.125" W(5.08mm x 3.18mm) | C322C104M1R5TA.pdf | |
![]() | SMAJ4736A-TP | DIODE ZENER 6.8V 1W DO214AC | SMAJ4736A-TP.pdf | |
![]() | SD7030-440-R | 43.4µH Shielded Wirewound Inductor 1.1A 238 mOhm Max Nonstandard | SD7030-440-R.pdf | |
![]() | TA310PA50K0J | RES 50K OHM 10W 5% RADIAL | TA310PA50K0J.pdf | |
![]() | F4100-018 | F4100-018 FOX ORIGINAL | F4100-018.pdf | |
![]() | 2SC3326/CCB | 2SC3326/CCB TOSHIBA SOT-23 | 2SC3326/CCB.pdf | |
![]() | 19067-0081 | 19067-0081 MOLEX SMD or Through Hole | 19067-0081.pdf | |
![]() | 2SD1564 | 2SD1564 NEC TO-220 | 2SD1564.pdf | |
![]() | OMIF-S-105L | OMIF-S-105L OEG SMD or Through Hole | OMIF-S-105L.pdf | |
![]() | NCP1607BDR | NCP1607BDR ON SMD or Through Hole | NCP1607BDR.pdf | |
![]() | DF-100W-12V | DF-100W-12V ORIGINAL SMD or Through Hole | DF-100W-12V.pdf | |
![]() | BU8241 | BU8241 ROHM SMD or Through Hole | BU8241.pdf |