Vishay BC Components SIHP15N50E-GE3

SIHP15N50E-GE3
제조업체 부품 번호
SIHP15N50E-GE3
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 500V 14.5A TO-220AB
데이터 시트 다운로드
다운로드
SIHP15N50E-GE3 가격 및 조달

가능 수량

8590 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 1,140.38500
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 SIHP15N50E-GE3 재고가 있습니다. 우리는 Vishay BC Components 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Vishay BC Components 전자 부품 전문. SIHP15N50E-GE3 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. SIHP15N50E-GE3가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
SIHP15N50E-GE3 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
SIHP15N50E-GE3 매개 변수
내부 부품 번호EIS-SIHP15N50E-GE3
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서SIHP15N50E
비디오 파일MOSFET Technologies for Power Conversion
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Vishay Siliconix
계열-
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)500V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C14.5A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs280m옴 @ 7.5A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs66nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds1162pF @ 100V
전력 - 최대156W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-220-3
공급 장치 패키지TO-220AB
표준 포장 1,000
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)SIHP15N50E-GE3
관련 링크SIHP15N5, SIHP15N50E-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통
SIHP15N50E-GE3 의 관련 제품
15pF 400VAC 세라믹 커패시터 SL 방사형, 디스크 0.276" Dia(7.00mm) C907U150JYSDBA7317.pdf
SS TIMR ON DLY, 300S, 110VAC/DC SAS300S110AD.pdf
TPS79325DBVTG4 TI SOT23-5 TPS79325DBVTG4.pdf
ME6219D28M5 MICRONE SOT23-5L ME6219D28M5.pdf
KC3265-EKY HL SOT-23 KC3265-EKY.pdf
IMP705CPA+ IMP DIP-8 IMP705CPA+.pdf
MCA1J4Y5VETTD333Z KOA SMD MCA1J4Y5VETTD333Z.pdf
LM4050BIM3-5.0/NOPB NS SMD or Through Hole LM4050BIM3-5.0/NOPB.pdf
C1608COG1H271JT TDK SMD or Through Hole C1608COG1H271JT.pdf
MAX1763EUE-TG068 MAXIM SMD or Through Hole MAX1763EUE-TG068.pdf
NF-750-630I-A2 NVIDIA BGA NF-750-630I-A2.pdf
SY88149HALMG MicrelInc 16-QFN SY88149HALMG.pdf