창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIHP14N50D-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | Packaging Information SiHP14N50D | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 14A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 400m옴 @ 7A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 58nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1144pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 208W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | SIHP14N50DE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIHP14N50D-E3 | |
관련 링크 | SIHP14N, SIHP14N50D-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | J314-01S | J314-01S FUJI TO-252 | J314-01S.pdf | |
![]() | S71WS256HC0BAW00 | S71WS256HC0BAW00 IC BGA | S71WS256HC0BAW00.pdf | |
![]() | P51XAG30KFBD | P51XAG30KFBD PHI PQFP44 | P51XAG30KFBD.pdf | |
![]() | 622Z | 622Z ORIGINAL QFN | 622Z.pdf | |
![]() | M1A* | M1A* panasoni SOT-23 | M1A*.pdf | |
![]() | 2SA1980-Y,G | 2SA1980-Y,G AUK SMD or Through Hole | 2SA1980-Y,G.pdf | |
![]() | TS060 | TS060 BOTHHAND SOP16 | TS060.pdf | |
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![]() | TEA5767HL/V1,118 | TEA5767HL/V1,118 PHILIPS BGA | TEA5767HL/V1,118.pdf | |
![]() | BSC020N03LSGNT | BSC020N03LSGNT inf QFN8 | BSC020N03LSGNT.pdf | |
![]() | LC4064B-25TN44C | LC4064B-25TN44C LATTICE QFP | LC4064B-25TN44C.pdf | |
![]() | PBSS5120TTR-CT | PBSS5120TTR-CT NXP SMD or Through Hole | PBSS5120TTR-CT.pdf |