창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIHP12N50E-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIHP12N50E | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 10.5A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 380m옴 @ 6A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 50nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 886pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 114W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 1,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIHP12N50E-GE3 | |
관련 링크 | SIHP12N5, SIHP12N50E-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
YC162-FR-07562KL | RES ARRAY 2 RES 562K OHM 0606 | YC162-FR-07562KL.pdf | ||
D3SB20-7000 | D3SB20-7000 ORIGINAL N A | D3SB20-7000.pdf | ||
XCV600EBG432AFS | XCV600EBG432AFS XILINX BGA | XCV600EBG432AFS.pdf | ||
NP2E335M10020 | NP2E335M10020 samwha DIP-2 | NP2E335M10020.pdf | ||
38113-573 | 38113-573 TI QFP | 38113-573.pdf | ||
TPCP8H01 | TPCP8H01 TOSHIBA SOP-8 | TPCP8H01.pdf | ||
2000V682 | 2000V682 ORIGINAL SMD or Through Hole | 2000V682.pdf | ||
XCF02SV0G20 | XCF02SV0G20 MIC TSSOP20 | XCF02SV0G20.pdf | ||
MP1538 | MP1538 MPS SMD or Through Hole | MP1538.pdf | ||
2SC4783-T1 /L6 | 2SC4783-T1 /L6 NEC SOT-23 | 2SC4783-T1 /L6.pdf | ||
PHE450RR6820JR06L2 | PHE450RR6820JR06L2 KEMET Call | PHE450RR6820JR06L2.pdf | ||
NT5TU128M4AE-3C | NT5TU128M4AE-3C NANYA BGA | NT5TU128M4AE-3C.pdf |