창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIHP12N50E-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIHP12N50E | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 10.5A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 380m옴 @ 6A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 50nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 886pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 114W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 1,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIHP12N50E-GE3 | |
관련 링크 | SIHP12N5, SIHP12N50E-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | PZU12B1A,115 | DIODE ZENER 12V 320MW SOD323 | PZU12B1A,115.pdf | |
![]() | SP20C-G202 U | Pressure Sensor -14.22 PSI ~ 28.45 PSI (-98.07 kPa ~ 196.13 kPa) Compound Male - 0.12" (3mm) Tube 60 mV ~ 140 mV 6-DIP Module | SP20C-G202 U.pdf | |
![]() | PANH104450-2 | NTC Thermistor 100k Ring Lug | PANH104450-2.pdf | |
![]() | EM4051015717 | EM4051015717 NEC SOP28 | EM4051015717.pdf | |
![]() | SSAG330100 | SSAG330100 ALPS SMD or Through Hole | SSAG330100.pdf | |
![]() | RJ2411FAOPB | RJ2411FAOPB SHARP QFN | RJ2411FAOPB.pdf | |
![]() | TLSY2101 | TLSY2101 TEMICTELEFUNKEN SMD or Through Hole | TLSY2101.pdf | |
![]() | TLC372M | TLC372M TI SOP-8 | TLC372M.pdf | |
![]() | PE3005-M | PE3005-M YH DIP | PE3005-M.pdf | |
![]() | PE-C500 | PE-C500 AWOTECJ SMD or Through Hole | PE-C500.pdf | |
![]() | NCP18XF101J0SRB | NCP18XF101J0SRB MURATA SMD or Through Hole | NCP18XF101J0SRB.pdf |