창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIHP10N40D-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | Packaging Information SiHP10N40D | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | PCN-SIL-0102014 Rev 0 23/May/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 400V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 10A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 600m옴 @ 5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 30nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 526pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 147W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | SIHP10N40DE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIHP10N40D-E3 | |
관련 링크 | SIHP10N, SIHP10N40D-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
0402YA150JAT2A | 15pF 16V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | 0402YA150JAT2A.pdf | ||
CLF1G0060S-10U | IC RF PWR AMP 10W SOT1227B | CLF1G0060S-10U.pdf | ||
RC0201FR-07464KL | RES SMD 464K OHM 1% 1/20W 0201 | RC0201FR-07464KL.pdf | ||
H4698KBYA | RES 698K OHM 1/2W 0.1% AXIAL | H4698KBYA.pdf | ||
KSA1156YS-NL | KSA1156YS-NL FAIRCHILD SMD or Through Hole | KSA1156YS-NL.pdf | ||
20V8P-25 | 20V8P-25 ICT DIP-24 | 20V8P-25.pdf | ||
DS1040Z-D70 | DS1040Z-D70 MAX/DALASSEMICONDUCTOR SMD or Through Hole | DS1040Z-D70.pdf | ||
1812-4.87K | 1812-4.87K ORIGINAL SMD or Through Hole | 1812-4.87K.pdf | ||
447-1284-001 | 447-1284-001 TI CSOP | 447-1284-001.pdf | ||
H11AI | H11AI MOTOROLA SMD or Through Hole | H11AI.pdf | ||
MC14LC55400W | MC14LC55400W ST SOP28W | MC14LC55400W.pdf | ||
G2670C888006H | G2670C888006H WIE CAP | G2670C888006H.pdf |