창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIHH21N60EF-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIHH21N60EF | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 19A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 185m옴 @ 11A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 86nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2035pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 174W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® 8 x 8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SiHH21N60EF-T1-GE3TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIHH21N60EF-T1-GE3 | |
관련 링크 | SIHH21N60E, SIHH21N60EF-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
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![]() | C1206C560K5GALTU | 56pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | C1206C560K5GALTU.pdf | |
![]() | 511MAB-BBAG | 125MHz ~ 169.999MHz CMOS, Dual (In-Phase) XO (Standard) Programmable Oscillator Surface Mount 3.3V 26mA Enable/Disable | 511MAB-BBAG.pdf | |
![]() | MBB02070C1100DC100 | RES 110 OHM 0.6W 0.5% AXIAL | MBB02070C1100DC100.pdf | |
![]() | 2SC4499 | 2SC4499 HITACHI TO-252 | 2SC4499.pdf | |
![]() | 2000P-50G-270-01 | 2000P-50G-270-01 NeltronIndustrial SMD or Through Hole | 2000P-50G-270-01.pdf | |
![]() | XC3030APQ100-7 | XC3030APQ100-7 ALTERA QFP | XC3030APQ100-7.pdf | |
![]() | BPS-1500-01 | BPS-1500-01 BESTAR SMD or Through Hole | BPS-1500-01.pdf | |
![]() | 5630AMWPR1365 | 5630AMWPR1365 U SOP | 5630AMWPR1365.pdf | |
![]() | UPD703114GF-E25-3BA | UPD703114GF-E25-3BA NEG QFP | UPD703114GF-E25-3BA.pdf | |
![]() | DS4300P+ | DS4300P+ MAXIM LCCC | DS4300P+.pdf | |
![]() | NTB27N06LT4 | NTB27N06LT4 ON TO-263(D2PAK) | NTB27N06LT4.pdf |