창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIHH11N65EF-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIHH11N65EF | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 11A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 382m옴 @ 6A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 70nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1243pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 130W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® 8 x 8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SiHH11N65EF-T1-GE3TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIHH11N65EF-T1-GE3 | |
관련 링크 | SIHH11N65E, SIHH11N65EF-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | 168562J100A-F | 5600pF Film Capacitor 63V 100V Polyester, Metallized Radial 0.283" L x 0.098" W (7.20mm x 2.50mm) | 168562J100A-F.pdf | |
![]() | T494X157K016AS | 150µF Molded Tantalum Capacitors 16V 2917 (7343 Metric) 150 mOhm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) | T494X157K016AS.pdf | |
![]() | 3KP6.0 | TVS DIODE 6VWM 10.82VC AXIAL | 3KP6.0.pdf | |
![]() | A72SQ1470AA0-J | A72SQ1470AA0-J KEMET Axial | A72SQ1470AA0-J.pdf | |
![]() | S01A | S01A NS MSOP8 | S01A.pdf | |
![]() | SL480 | SL480 ORIGINAL DIP-8P | SL480.pdf | |
![]() | 50T-1222C | 50T-1222C YDS SMD or Through Hole | 50T-1222C.pdf | |
![]() | SAB82C535-N | SAB82C535-N SIEMENS PLCC | SAB82C535-N.pdf | |
![]() | DS2250T-64-16+ | DS2250T-64-16+ MAXIM 40-SIMM | DS2250T-64-16+.pdf | |
![]() | DESD32H221K | DESD32H221K MURATA SMD or Through Hole | DESD32H221K.pdf | |
![]() | 51T65505Y15 | 51T65505Y15 ALPINE TQFP | 51T65505Y15.pdf | |
![]() | MC5451L | MC5451L Motorola SMD or Through Hole | MC5451L.pdf |