창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIHG73N60E-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIHG73N60E | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | SIL-079-2014-Rev-0 26/Sep/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 73A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 39m옴 @ 36A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 362nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7700pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 520W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247AC | |
표준 포장 | 500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIHG73N60E-E3 | |
관련 링크 | SIHG73N, SIHG73N60E-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
RG2012P-4530-W-T5 | RES SMD 453 OHM 0.05% 1/8W 0805 | RG2012P-4530-W-T5.pdf | ||
TMO9-1 | TMO9-1 MINI SMD or Through Hole | TMO9-1.pdf | ||
STA369BWSTR-HSF/ | STA369BWSTR-HSF/ ST SOP36 | STA369BWSTR-HSF/.pdf | ||
50006-1096C | 50006-1096C FCI SMD or Through Hole | 50006-1096C.pdf | ||
SI8407DB-T2-E1 | SI8407DB-T2-E1 VISHAY SMD or Through Hole | SI8407DB-T2-E1.pdf | ||
R459005,5A | R459005,5A LITTEFUSE 7.24 4.32 | R459005,5A.pdf | ||
13N03LA | 13N03LA ORIGINAL P-TO252 | 13N03LA .pdf | ||
0402CS-39NXGLW | 0402CS-39NXGLW ORIGINAL SMD | 0402CS-39NXGLW.pdf | ||
EC3AW05 | EC3AW05 CINCON DIP24 | EC3AW05.pdf | ||
F100102BC | F100102BC NS SMD or Through Hole | F100102BC.pdf | ||
DG409AAK/883 | DG409AAK/883 HARRIS/S CDIP16 | DG409AAK/883.pdf | ||
SN54F253BEAJC | SN54F253BEAJC MOT DIP | SN54F253BEAJC.pdf |