창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIHG47N60E-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIHG47N60E | |
제품 교육 모듈 | High Voltage MOSFET E Series and PFC Device Selection | |
비디오 파일 | Super 12 for 2014 SiHG47N60E – E series MOSFETs MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | SIL-079-2014-Rev-0 26/Sep/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 47A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 64m옴 @ 24A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 220nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 9620pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 357W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247AC | |
표준 포장 | 500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIHG47N60E-GE3 | |
관련 링크 | SIHG47N6, SIHG47N60E-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | L2K110BJ224KB-T | 0.22µF Isolated Capacitor 2 Array 10V X5R 0504 (1410 Metric) 0.054" L x 0.039" W (1.37mm x 1.00mm) | L2K110BJ224KB-T.pdf | |
![]() | P4KE24ATR | TVS DIODE 19.4VWM 33.2VC DO41 | P4KE24ATR.pdf | |
![]() | S0603-56NF1B | 56nH Unshielded Wirewound Inductor 600mA 340 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | S0603-56NF1B.pdf | |
![]() | 3CTK100A/50-3000V | 3CTK100A/50-3000V CHINA SMD or Through Hole | 3CTK100A/50-3000V.pdf | |
![]() | ILC5061AM44X | ILC5061AM44X FAI SOT-23 | ILC5061AM44X.pdf | |
![]() | ECD4046BE | ECD4046BE IC DIP-16 | ECD4046BE.pdf | |
![]() | 130560 | 130560 HAR DIP40 | 130560.pdf | |
![]() | L1154YD | L1154YD KINGBRIGHT DIP | L1154YD.pdf | |
![]() | DMJT9435-13-F | DMJT9435-13-F DIODES SOT223 | DMJT9435-13-F.pdf | |
![]() | QFN-12(20)BT-0.5-02 | QFN-12(20)BT-0.5-02 ENPLAS SMD or Through Hole | QFN-12(20)BT-0.5-02.pdf | |
![]() | HYB18T256160AC-3S | HYB18T256160AC-3S INFINEON BGA | HYB18T256160AC-3S.pdf |