Vishay BC Components SIHG33N60EF-GE3
- 제조업체 부품 번호
- SIHG33N60EF-GE3
- 제조업 자
- Vishay BC Components
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 600V 33A TO-247AC
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
SIHG33N60EF-GE3 가격 및 조달
가능 수량
9000 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 4,169.88000
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 SIHG33N60EF-GE3 재고가 있습니다. 우리는 Vishay BC Components 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Vishay BC Components 전자 부품 전문. SIHG33N60EF-GE3 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. SIHG33N60EF-GE3가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- SIHG33N60EF-GE3 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
SIHG33N60EF-GE3 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-SIHG33N60EF-GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SIHG33N60EF-GE3 | |
| 애플리케이션 노트 | Operation, FOM, and Guidelines for MOSFET Selection | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage MOSFET E Series and PFC Device Selection | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 33A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 98m옴 @ 16.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 155nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3454pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 278W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247AC | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SIHG33N60EF-GE3 | |
| 관련 링크 | SIHG33N60, SIHG33N60EF-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
SIHG33N60EF-GE3 의 관련 제품
 | 860160672011 | 22µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can 3000 Hrs @ 105°C | 860160672011.pdf | |
 | 12102U390GAT2A | 39pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | 12102U390GAT2A.pdf | |
 | VJ1812Y821JBPAT4X | 820pF 250V 세라믹 커패시터 X7R 1812(4532 미터법) 0.183" L x 0.126" W(4.65mm x 3.20mm) | VJ1812Y821JBPAT4X.pdf | |
 | HM78-20101LFTR | 100µH Shielded Inductor 520mA 432 mOhm Max Nonstandard | HM78-20101LFTR.pdf | |
 | RMCF0402JT20R0 | RES SMD 20 OHM 5% 1/16W 0402 | RMCF0402JT20R0.pdf | |
| M6525 | M6525 SK ZIP | M6525.pdf | |
| HK1295 | HK1295 HKNVRAM SMD or Through Hole | HK1295.pdf | |
| 6.3YXF2200M12.5X20 | 6.3YXF2200M12.5X20 ORIGINAL SMD or Through Hole | 6.3YXF2200M12.5X20.pdf | |
| KTC3207Y | KTC3207Y KEC SMD or Through Hole | KTC3207Y.pdf | |
| MNR04M0APJ113 | MNR04M0APJ113 ROHM SMD or Through Hole | MNR04M0APJ113.pdf | |
| GT2-H12K | GT2-H12K ORIGINAL SMD or Through Hole | GT2-H12K.pdf |