창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SIHG33N60EF-GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SIHG33N60EF-GE3 | |
| 애플리케이션 노트 | Operation, FOM, and Guidelines for MOSFET Selection | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage MOSFET E Series and PFC Device Selection | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 33A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 98m옴 @ 16.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 155nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3454pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 278W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247AC | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SIHG33N60EF-GE3 | |
| 관련 링크 | SIHG33N60, SIHG33N60EF-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | TISP8200MDR-S | THYRISTOR 120V 45A 8SOIC | TISP8200MDR-S.pdf | |
![]() | 13F-4Z-A1 LY4 | 13F-4Z-A1 LY4 ORIGINAL SMD or Through Hole | 13F-4Z-A1 LY4 .pdf | |
![]() | 2SB882-AZ/JM | 2SB882-AZ/JM NEC TO-126 | 2SB882-AZ/JM.pdf | |
![]() | XVSB2400 | XVSB2400 MOT SMD or Through Hole | XVSB2400.pdf | |
![]() | FBIU4D | FBIU4D PEC SMD or Through Hole | FBIU4D.pdf | |
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![]() | XT38PBA32K768 | XT38PBA32K768 VISHAY SMD | XT38PBA32K768.pdf | |
![]() | KPA-2106SYC-J-GME-PF | KPA-2106SYC-J-GME-PF ORIGINAL SMD or Through Hole | KPA-2106SYC-J-GME-PF.pdf | |
![]() | 877.5MHZ(JRC) | 877.5MHZ(JRC) JRC 3X3-6P | 877.5MHZ(JRC).pdf | |
![]() | ECHA401VSN221MQ35S | ECHA401VSN221MQ35S NICHICON DIP | ECHA401VSN221MQ35S.pdf | |
![]() | LT193JG | LT193JG TI SMD or Through Hole | LT193JG.pdf |