창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIHG28N60EF-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIHG28N60EF | |
애플리케이션 노트 | Operation, FOM, and Guidelines for MOSFET Selection | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 28A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 123m옴 @ 14A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 120nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2714pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 250W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247AC | |
표준 포장 | 500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIHG28N60EF-GE3 | |
관련 링크 | SIHG28N60, SIHG28N60EF-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | ASTMUPCD-33-4.000MHZ-EJ-E-T3 | 4MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 3.3V 36mA Enable/Disable | ASTMUPCD-33-4.000MHZ-EJ-E-T3.pdf | |
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![]() | RT2860T-MAC | RT2860T-MAC ORIGINAL SMD or Through Hole | RT2860T-MAC.pdf | |
![]() | ISL6656CRZ | ISL6656CRZ INTERSIL QFN | ISL6656CRZ.pdf | |
![]() | DT-26 76.800KHz | DT-26 76.800KHz KDS SMD or Through Hole | DT-26 76.800KHz.pdf | |
![]() | LQP15MN2N0 | LQP15MN2N0 MURATA SMD or Through Hole | LQP15MN2N0.pdf | |
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