창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIHG25N50E-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | Packaging Information SIHG25N50E-GE3 | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | SIL-079-2014-Rev-0 26/Sep/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 26A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 145m옴 @ 12A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 86nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1980pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 250W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247AC | |
표준 포장 | 500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIHG25N50E-GE3 | |
관련 링크 | SIHG25N5, SIHG25N50E-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
2455RM-00020788 | MANUAL RESET THERMOSTAT | 2455RM-00020788.pdf | ||
MT5C1005-2 | MT5C1005-2 MT BULKDIP | MT5C1005-2.pdf | ||
160V10000UF 65X105 | 160V10000UF 65X105 ORIGINAL SMD or Through Hole | 160V10000UF 65X105.pdf | ||
T74LS20D1 | T74LS20D1 SGS CDIP | T74LS20D1.pdf | ||
3051 BR001 | 3051 BR001 ORIGINAL NEW | 3051 BR001.pdf | ||
C0288246500 | C0288246500 CMD SOP28 | C0288246500.pdf | ||
MX29LV004CBTI-70 | MX29LV004CBTI-70 MX TSOP40 | MX29LV004CBTI-70.pdf | ||
ISL6522CB-Z | ISL6522CB-Z INTERSIL SOP-14 | ISL6522CB-Z.pdf | ||
TA7805FTE18LQ | TA7805FTE18LQ tosh SMD or Through Hole | TA7805FTE18LQ.pdf | ||
HD-601-02P | HD-601-02P HOWDER SMD or Through Hole | HD-601-02P.pdf | ||
FS7KM-12 TO-220S | FS7KM-12 TO-220S MITSUBISHI SMD or Through Hole | FS7KM-12 TO-220S.pdf | ||
RF3405E | RF3405E RFM SMD or Through Hole | RF3405E.pdf |