창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIHG25N40D-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | Packaging Information SiHG25N40D | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 400V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 25A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 170m옴 @ 13A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 88nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1707pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 278W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247AC | |
표준 포장 | 500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIHG25N40D-GE3 | |
관련 링크 | SIHG25N4, SIHG25N40D-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | MA-406 14.7456M-G3: PURE SN | 14.7456MHz ±50ppm 수정 20pF 50옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, J-리드(Lead) | MA-406 14.7456M-G3: PURE SN.pdf | |
![]() | RC2512JK-0736RL | RES SMD 36 OHM 5% 1W 2512 | RC2512JK-0736RL.pdf | |
![]() | 3CA4C,D,E,F | 3CA4C,D,E,F ORIGINAL SMD or Through Hole | 3CA4C,D,E,F.pdf | |
![]() | PANECQV1H473JL | PANECQV1H473JL PAN CAP | PANECQV1H473JL.pdf | |
![]() | B380C800 | B380C800 PANJIT AMRB-10 | B380C800.pdf | |
![]() | 14FMN-BMTR-A-TB | 14FMN-BMTR-A-TB JST SMD or Through Hole | 14FMN-BMTR-A-TB.pdf | |
![]() | S7836 | S7836 HAMAMATSU DIP-2 | S7836.pdf | |
![]() | 84XR100LFTR | 84XR100LFTR BITECH SMD or Through Hole | 84XR100LFTR.pdf | |
![]() | VT223T | VT223T VOLTERRA BGA | VT223T.pdf | |
![]() | 30.0000M-FX216B10T | 30.0000M-FX216B10T ABR SMD or Through Hole | 30.0000M-FX216B10T.pdf | |
![]() | CX24156-44A | CX24156-44A CONEXANT BGA | CX24156-44A.pdf | |
![]() | L1117DG-1.8 | L1117DG-1.8 NIKOSEMICONDUCTOR SMD or Through Hole | L1117DG-1.8.pdf |