창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIHG22N60E-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIHG22N60E | |
제품 교육 모듈 | High Voltage MOSFET E Series and PFC Device Selection | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | SIL-079-2014-Rev-0 26/Sep/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 21A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 180m옴 @ 11A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 86nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1920pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 227W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247AC | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | SIHG22N60EE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIHG22N60E-E3 | |
관련 링크 | SIHG22N, SIHG22N60E-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
B43231A1188M | 1800µF 160V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 2000 Hrs @ 85°C | B43231A1188M.pdf | ||
K681J20C0GL5UH5 | 680pF 500V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.197" L x 0.126" W(5.00mm x 3.20mm) | K681J20C0GL5UH5.pdf | ||
UX52F6204Z | 156.25MHz LVPECL XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 75mA Enable/Disable | UX52F6204Z.pdf | ||
SIT8008BC-13-33E-26.000000D | OSC XO 3.3V 26MHZ OE | SIT8008BC-13-33E-26.000000D.pdf | ||
3SMBJ5931B-TP | DIODE ZENER 18V 3W DO214AA | 3SMBJ5931B-TP.pdf | ||
AA0603JR-0712RL | RES SMD 12 OHM 5% 1/10W 0603 | AA0603JR-0712RL.pdf | ||
CMF60649K00FER6 | RES 649K OHM 1W 1% AXIAL | CMF60649K00FER6.pdf | ||
DPA500F-36 | DPA500F-36 COSEL SMD or Through Hole | DPA500F-36.pdf | ||
STM TEA2025B | STM TEA2025B ST SMD or Through Hole | STM TEA2025B.pdf | ||
X53258I-2.7 | X53258I-2.7 ORIGINAL SOIC-8 | X53258I-2.7.pdf | ||
CL6010D4 | CL6010D4 COMLENT SLP24 | CL6010D4.pdf | ||
LM7221/BIN | LM7221/BIN NS DIP-8 | LM7221/BIN.pdf |