창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIHG21N65EF-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIHG21N65EF | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 21A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 180m옴 @ 11A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 106nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2322pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 208W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247AC | |
표준 포장 | 25 | |
다른 이름 | SiHG21N65EF-GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIHG21N65EF-GE3 | |
관련 링크 | SIHG21N65, SIHG21N65EF-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
Y50532K00000K21L | 2k Ohm 0.25W, 1/4W PC Pins Through Hole Trimmer Potentiometer Metal Foil 21 Turn Side Adjustment | Y50532K00000K21L.pdf | ||
TYS252010L6R8M-10 | 6.8µH Shielded Inductor 590mA 896 mOhm Max 1008 (2520 Metric) | TYS252010L6R8M-10.pdf | ||
SMCJ12A-F | SMCJ12A-F ORIGINAL DO-214C | SMCJ12A-F.pdf | ||
SNJ55114J 5962-8874402EA | SNJ55114J 5962-8874402EA TI CDIP16 | SNJ55114J 5962-8874402EA.pdf | ||
BMB-1J-1000W-N2 | BMB-1J-1000W-N2 TYCO O6O3 | BMB-1J-1000W-N2.pdf | ||
CJ822-DTH | CJ822-DTH NSC SO-20 | CJ822-DTH.pdf | ||
ZR36966-U ELCG | ZR36966-U ELCG ZORAN SOT208 | ZR36966-U ELCG.pdf | ||
4N29825Q | 4N29825Q Fairchild SMD or Through Hole | 4N29825Q.pdf | ||
NACK470M100V12.5x14TR13F | NACK470M100V12.5x14TR13F NICC SMT | NACK470M100V12.5x14TR13F.pdf | ||
ACH16823K | ACH16823K TI SSOP56 | ACH16823K.pdf | ||
FS18SM-6 | FS18SM-6 ORIGINAL TO-3P | FS18SM-6.pdf | ||
NSR470M6.3V5X5F | NSR470M6.3V5X5F NIC DIP | NSR470M6.3V5X5F.pdf |