창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIHG21N60EF-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIHG21N60EF | |
애플리케이션 노트 | Operation, FOM, and Guidelines for MOSFET Selection | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
주요제품 | 600 V EF Series MOSFETs | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 21A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 176m옴 @ 11A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 84nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2030pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 227W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247AC | |
표준 포장 | 500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIHG21N60EF-GE3 | |
관련 링크 | SIHG21N60, SIHG21N60EF-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | CRA12E08322R0JTR | RES ARRAY 4 RES 22 OHM 2012 | CRA12E08322R0JTR.pdf | |
![]() | MPTK933100000620 | MPTK933100000620 ACECOM CONNECTORS | MPTK933100000620.pdf | |
![]() | HQ220P | HQ220P ORIGINAL PLCC | HQ220P.pdf | |
![]() | ZOV-20D680K | ZOV-20D680K ZOV() SMD or Through Hole | ZOV-20D680K.pdf | |
![]() | 3551C | 3551C BB CAN8 | 3551C.pdf | |
![]() | MCT2200.300 | MCT2200.300 ISOCOM DIPSOP | MCT2200.300.pdf | |
![]() | LB1961 | LB1961 SANYO SOP | LB1961.pdf | |
![]() | 2SJ288 | 2SJ288 SANYO SOT-89 | 2SJ288.pdf | |
![]() | 74F676AD | 74F676AD ORIGINAL SOP | 74F676AD.pdf | |
![]() | ADN660AR | ADN660AR AD SMD or Through Hole | ADN660AR.pdf |