창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIHG20N50C-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIHG20N50C | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
주요제품 | SiHP18N50C/SiHG20N50C MOSFETs | |
PCN 조립/원산지 | SIL-073-2014-Rev-0 13/Jun/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1658 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 270m옴 @ 10A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 76nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2942pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 250W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247AC | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | SIHG20N50CE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIHG20N50C-E3 | |
관련 링크 | SIHG20N, SIHG20N50C-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | CX3225GB48000P0HPQZ1 | 48MHz ±20ppm 수정 18pF 50옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | CX3225GB48000P0HPQZ1.pdf | |
![]() | MOX93021005FVE | RES 10M OHM 7.5W 1% AXIAL | MOX93021005FVE.pdf | |
![]() | 24HMZ000L00 | 24HMZ000L00 ORIGINAL SMD or Through Hole | 24HMZ000L00.pdf | |
![]() | NLFC565050T-332K-PF | NLFC565050T-332K-PF TDK SMD | NLFC565050T-332K-PF.pdf | |
![]() | SGA-9289Z | SGA-9289Z SIRENZA SOT-89 | SGA-9289Z.pdf | |
![]() | BN9719.1 | BN9719.1 ORIGINAL SMD or Through Hole | BN9719.1.pdf | |
![]() | S20K130E3K1 | S20K130E3K1 EPCOS DIP | S20K130E3K1.pdf | |
![]() | M37507M8-075FP | M37507M8-075FP MITSUBUSHI QFP | M37507M8-075FP.pdf | |
![]() | A205P3YZQ04 | A205P3YZQ04 ALCOSWITCH/WSI SMD or Through Hole | A205P3YZQ04.pdf | |
![]() | AM29F016D-70SF | AM29F016D-70SF AMD SOP | AM29F016D-70SF.pdf | |
![]() | CXD9606Q | CXD9606Q SONY QFP | CXD9606Q.pdf | |
![]() | FH12A-16S-1SH(55) | FH12A-16S-1SH(55) HRS SMD | FH12A-16S-1SH(55).pdf |