창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIHG17N60D-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIHG17N60D | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 17A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 340m옴 @ 8A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 90nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1780pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 277.8W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247AC | |
표준 포장 | 500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIHG17N60D-GE3 | |
관련 링크 | SIHG17N6, SIHG17N60D-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | 416F380X3AAR | 38MHz ±15ppm 수정 10pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F380X3AAR.pdf | |
![]() | B65531D0025A001 | B65531D0025A001 epcos SMD or Through Hole | B65531D0025A001.pdf | |
![]() | LP2950-30-T92-K | LP2950-30-T92-K UTC TO-92 | LP2950-30-T92-K.pdf | |
![]() | A3E-44D-2R | A3E-44D-2R HRS SMD or Through Hole | A3E-44D-2R.pdf | |
![]() | pi7c8154b | pi7c8154b PERICOM BGA | pi7c8154b.pdf | |
![]() | BU2JTD3WG-TR | BU2JTD3WG-TR ROHM SOT23-5 | BU2JTD3WG-TR.pdf | |
![]() | EPM3064AC100-10 | EPM3064AC100-10 ALTERA QFP | EPM3064AC100-10.pdf | |
![]() | 1812HC102KATM | 1812HC102KATM AVX SMD or Through Hole | 1812HC102KATM.pdf | |
![]() | 0R925 | 0R925 NXP LFPAK | 0R925.pdf | |
![]() | MA8306NC | MA8306NC MA SSOP | MA8306NC.pdf |