창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIHG17N60D-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIHG17N60D | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 17A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 340m옴 @ 8A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 90nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1780pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 277.8W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247AC | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | SIHG17N60D-E3CT SIHG17N60D-E3CT-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIHG17N60D-E3 | |
관련 링크 | SIHG17N, SIHG17N60D-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | B25856J684K13 | 0.68µF Film Capacitor Axial | B25856J684K13.pdf | |
![]() | PRG21AR4R7MS5RA | THERMISTOR | PRG21AR4R7MS5RA.pdf | |
![]() | SIT9120AI-2D1-XXE156.250000X | OSC XO 156.25MHZ | SIT9120AI-2D1-XXE156.250000X.pdf | |
![]() | STF30200CR | DIODE SCHOTTKY 200V ITO220AB | STF30200CR.pdf | |
![]() | AF0402FR-0714K7L | RES SMD 14.7K OHM 1% 1/16W 0402 | AF0402FR-0714K7L.pdf | |
![]() | Y1121637R950T0L | RES SMD 637.95 OHM 1/4W 2512 | Y1121637R950T0L.pdf | |
![]() | AL-103GD | AL-103GD A-BRIGHT ROHS | AL-103GD.pdf | |
![]() | 7MBR10SA120F-70 | 7MBR10SA120F-70 FUJI SMD or Through Hole | 7MBR10SA120F-70.pdf | |
![]() | HD09-03M-L1 | HD09-03M-L1 Sumitomo con | HD09-03M-L1.pdf | |
![]() | HA17393-B | HA17393-B HD DIP | HA17393-B.pdf | |
![]() | 24AA515-I/P | 24AA515-I/P microchip SMD or Through Hole | 24AA515-I/P.pdf | |
![]() | MBR16H200 | MBR16H200 ORIGINAL TO-220 | MBR16H200.pdf |