창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SIHG14N50D-E3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SiHG14N50D | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 14A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 400m옴 @ 7A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 58nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1144pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 208W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247AC | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | SIHG14N50DE3 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SIHG14N50D-E3 | |
| 관련 링크 | SIHG14N, SIHG14N50D-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | LQP02TQ0N7B02D | 0.7nH Unshielded Thick Film Inductor 630mA 150 mOhm Max 01005 (0402 Metric) | LQP02TQ0N7B02D.pdf | |
![]() | CMF555K3000BHRE | RES 5.3K OHM 1/2W .1% AXIAL | CMF555K3000BHRE.pdf | |
![]() | CMF651M5000FEEA | RES 1.5M OHM 1.5W 1% AXIAL | CMF651M5000FEEA.pdf | |
![]() | S1D3-5AP | S1D3-5AP LI-DE 400VAC | S1D3-5AP.pdf | |
![]() | 74AC08D | 74AC08D NS SO | 74AC08D.pdf | |
![]() | MTZJT SERIES | MTZJT SERIES ROHM SMD or Through Hole | MTZJT SERIES.pdf | |
![]() | MB670215U | MB670215U FUJITSU DIP-28 | MB670215U.pdf | |
![]() | V83C562WR | V83C562WR PHI PLCC-L68P | V83C562WR.pdf | |
![]() | LT1938IDD | LT1938IDD ORIGINAL DFN10 | LT1938IDD.pdf | |
![]() | UM-1-19.3917M 30PF +/-15PPM | UM-1-19.3917M 30PF +/-15PPM ORIGINAL DIP | UM-1-19.3917M 30PF +/-15PPM.pdf | |
![]() | MLF-G30-450E | MLF-G30-450E ORIGINAL SMD-DIP | MLF-G30-450E.pdf | |
![]() | FW82807 | FW82807 INTEL BGA | FW82807.pdf |