창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SIHG14N50D-E3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SiHG14N50D | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 14A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 400m옴 @ 7A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 58nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1144pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 208W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247AC | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | SIHG14N50DE3 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SIHG14N50D-E3 | |
| 관련 링크 | SIHG14N, SIHG14N50D-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | MKP383211250JIM2T0 | 1100pF Film Capacitor 900V 2500V (2.5kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.024" L x 0.236" W (26.00mm x 6.00mm) | MKP383211250JIM2T0.pdf | |
![]() | MSAD60-18 | DIODE MODULE 1.8KV 60A D1 | MSAD60-18.pdf | |
![]() | EXB-V4V242JV | RES ARRAY 2 RES 2.4K OHM 0606 | EXB-V4V242JV.pdf | |
![]() | H42K05BZA | RES 2.05K OHM 1/2W 0.1% AXIAL | H42K05BZA.pdf | |
![]() | TEMSVB21E335M8R(25V3.3UF) | TEMSVB21E335M8R(25V3.3UF) NEC B | TEMSVB21E335M8R(25V3.3UF).pdf | |
![]() | SNJ54F352J | SNJ54F352J TI CDIP | SNJ54F352J.pdf | |
![]() | S80C51 | S80C51 MHS PLCC44 | S80C51.pdf | |
![]() | IDT74FCT825AP | IDT74FCT825AP IDT SMD or Through Hole | IDT74FCT825AP.pdf | |
![]() | AR03DTCY62R0N | AR03DTCY62R0N VIKING SMD | AR03DTCY62R0N.pdf | |
![]() | BSS138 (SOT-23) | BSS138 (SOT-23) FAIR SMD or Through Hole | BSS138 (SOT-23).pdf | |
![]() | KIA7209AF-RTF | KIA7209AF-RTF KEC SMD or Through Hole | KIA7209AF-RTF.pdf | |
![]() | WRM0207C1M0FI | WRM0207C1M0FI welwyn INSTOCKPACK1500 | WRM0207C1M0FI.pdf |