창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIHF7N60E-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIHF7N60E | |
제품 교육 모듈 | High Voltage MOSFET E Series and PFC Device Selection | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | SIL-079-2014-Rev-0 26/Sep/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 600m옴 @ 3.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 40nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 680pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 31W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
공급 장치 패키지 | TO-220 풀팩(Full Pack) | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | SIHF7N60EE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIHF7N60E-E3 | |
관련 링크 | SIHF7N6, SIHF7N60E-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | C1206C472J5GACTU | 4700pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | C1206C472J5GACTU.pdf | |
![]() | VLCF5020T-2R7N1R7 | 2.7µH Shielded Wirewound Inductor 1.76A 71 mOhm Max Nonstandard | VLCF5020T-2R7N1R7.pdf | |
![]() | MMB02070C2207FB200 | RES SMD 0.22 OHM 1% 1W 0207 | MMB02070C2207FB200.pdf | |
![]() | E3S-5LE4S | LIGHT SOURCE | E3S-5LE4S.pdf | |
![]() | HX2305 | HX2305 Pulse SMD | HX2305.pdf | |
![]() | FMW8 T148 | FMW8 T148 ROHM SOT-153 | FMW8 T148.pdf | |
![]() | 222M063J022 | 222M063J022 cd SMD or Through Hole | 222M063J022.pdf | |
![]() | uPG2008TK | uPG2008TK NEC SMD or Through Hole | uPG2008TK.pdf | |
![]() | IDT23S05E-1HDCGI | IDT23S05E-1HDCGI IDT 8-SOIC | IDT23S05E-1HDCGI.pdf | |
![]() | MC75461U | MC75461U MOT CDIP-8 | MC75461U.pdf | |
![]() | KRF160VB151M25X20LL | KRF160VB151M25X20LL UMITEDCHEMI-CON DIP | KRF160VB151M25X20LL.pdf | |
![]() | CD6290CA | CD6290CA MICROSEMI SMD | CD6290CA.pdf |