창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SIHF22N65E-GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SIHF22N65E | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage MOSFET E Series and PFC Device Selection | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| PCN 조립/원산지 | SIL-079-2014-Rev-0 26/Sep/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 22A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 180m옴 @ 11A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 110nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2415pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 35W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220 풀팩(Full Pack) | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | SIHF22N65E-GE3CT SIHF22N65E-GE3CT-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SIHF22N65E-GE3 | |
| 관련 링크 | SIHF22N6, SIHF22N65E-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
| RSMF12JT100K | RES MO 1/2W 100K OHM 5% AXL | RSMF12JT100K.pdf | ||
![]() | 68020-510 | 68020-510 HAMMOND SOPPHI | 68020-510.pdf | |
![]() | 8120-5L | 8120-5L UTC SOT-23 | 8120-5L.pdf | |
![]() | VC2075 | VC2075 VC DIP | VC2075.pdf | |
![]() | 3.64682MHZ/49SMD | 3.64682MHZ/49SMD RN/P 49SMD | 3.64682MHZ/49SMD.pdf | |
![]() | S5035M0047A5F-0805 | S5035M0047A5F-0805 YAGEO DIP | S5035M0047A5F-0805.pdf | |
![]() | MN15142TES | MN15142TES Matsushita DIP-42 | MN15142TES.pdf | |
![]() | DS101050 | DS101050 DAL PDIP | DS101050.pdf | |
![]() | FHW1008IF101FST | FHW1008IF101FST FH SMD | FHW1008IF101FST.pdf | |
![]() | HS21300AM-01 | HS21300AM-01 HOLTEK SOP | HS21300AM-01.pdf | |
![]() | MAX7652ECB | MAX7652ECB MAXIM SMD or Through Hole | MAX7652ECB.pdf | |
![]() | HF152F-024-1ZST(335) | HF152F-024-1ZST(335) HF SMD or Through Hole | HF152F-024-1ZST(335).pdf |