창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIHF22N65E-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIHF22N65E | |
제품 교육 모듈 | High Voltage MOSFET E Series and PFC Device Selection | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | SIL-079-2014-Rev-0 26/Sep/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 22A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 180m옴 @ 11A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 110nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2415pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 35W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
공급 장치 패키지 | TO-220 풀팩(Full Pack) | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | SIHF22N65E-GE3CT SIHF22N65E-GE3CT-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIHF22N65E-GE3 | |
관련 링크 | SIHF22N6, SIHF22N65E-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | 416F44033CDT | 44MHz ±30ppm 수정 18pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F44033CDT.pdf | |
![]() | RP73D2A316RBTDF | RES SMD 316 OHM 0.1% 1/8W 0805 | RP73D2A316RBTDF.pdf | |
![]() | NC4D-JP-DC9V | NC4D-JP-DC9V ORIGINAL SMD or Through Hole | NC4D-JP-DC9V.pdf | |
![]() | FDLL3595_NL | FDLL3595_NL FAIRCHILD LL-34 | FDLL3595_NL.pdf | |
![]() | RF7168TR13 | RF7168TR13 RFMD QFN | RF7168TR13.pdf | |
![]() | ZR36766ELCG | ZR36766ELCG TI QFP | ZR36766ELCG.pdf | |
![]() | NX25B40-VN1-G-T | NX25B40-VN1-G-T NX SOP8 | NX25B40-VN1-G-T.pdf | |
![]() | KSC2881-YTF | KSC2881-YTF FAIRCHIL SOT89 | KSC2881-YTF.pdf | |
![]() | M41256-15 | M41256-15 ORIGINAL SMD or Through Hole | M41256-15.pdf | |
![]() | GT-8130T | GT-8130T ORIGINAL QFP | GT-8130T.pdf | |
![]() | HA9P2544C-9 | HA9P2544C-9 Harris SOP8 | HA9P2544C-9.pdf | |
![]() | VNV10NO7 | VNV10NO7 ST SOP-10 | VNV10NO7.pdf |