창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIHF22N60E-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIHF22N60E | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | SIL-079-2014-Rev-0 26/Sep/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 21A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 180m옴 @ 11A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 86nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1920pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 35W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
공급 장치 패키지 | TO-220 풀팩(Full Pack) | |
표준 포장 | 1,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIHF22N60E-GE3 | |
관련 링크 | SIHF22N6, SIHF22N60E-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
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![]() | 1812GC222KAT3A\SB | 2200pF 2000V(2kV) 세라믹 커패시터 X7R 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) | 1812GC222KAT3A\SB.pdf | |
![]() | LQW28HN22NJ03L | LQW28HN22NJ03L ORIGINAL SMD or Through Hole | LQW28HN22NJ03L.pdf | |
![]() | PCD5101 | PCD5101 PHILIPS DIP | PCD5101.pdf | |
![]() | 53711SOCN5884093W | 53711SOCN5884093W MMI CLCC | 53711SOCN5884093W.pdf | |
![]() | UPC3701 | UPC3701 NEC SOP5 | UPC3701.pdf | |
![]() | 65L45CT | 65L45CT ON TO-220 | 65L45CT.pdf | |
![]() | CP266P097A51 | CP266P097A51 ORIGINAL SOD-20 | CP266P097A51.pdf | |
![]() | U128 | U128 SILICONI CAN | U128.pdf | |
![]() | 592D337X6R3D2T16H | 592D337X6R3D2T16H VISHAY SMD | 592D337X6R3D2T16H.pdf | |
![]() | DFCB3915MLDJAA | DFCB3915MLDJAA Murata SMD or Through Hole | DFCB3915MLDJAA.pdf |