창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIHF16N50C-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIH(P,B,F)16N50C | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | SIL-073-2014-Rev-0 13/Jun/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 16A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 380m옴 @ 8A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 68nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1900pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 38W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
공급 장치 패키지 | TO-220 풀팩(Full Pack) | |
표준 포장 | 1,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIHF16N50C-E3 | |
관련 링크 | SIHF16N, SIHF16N50C-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | GRM2195C2AR40CD01D | 0.40pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | GRM2195C2AR40CD01D.pdf | |
![]() | ECNR17.5 | UL CLASS RK-5 TIME DELAY | ECNR17.5.pdf | |
![]() | 416F37433ILR | 37.4MHz ±30ppm 수정 12pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F37433ILR.pdf | |
![]() | CMF605K6000FKR6 | RES 5.6K OHM 1W 1% AXIAL | CMF605K6000FKR6.pdf | |
![]() | MB90611A | MB90611A FUJITSU QFP | MB90611A.pdf | |
![]() | ON361186-1 | ON361186-1 ORIGINAL SMD or Through Hole | ON361186-1.pdf | |
![]() | 2200SB-50G-SM-23 | 2200SB-50G-SM-23 NeltronIndustrial SMD or Through Hole | 2200SB-50G-SM-23.pdf | |
![]() | LT1054AMJG | LT1054AMJG TI DIP | LT1054AMJG.pdf | |
![]() | MSP430F2232ID | MSP430F2232ID TI TSSOP-38 | MSP430F2232ID.pdf | |
![]() | KRL1220-C-R025-F-T1 | KRL1220-C-R025-F-T1 ORIGINAL SMD or Through Hole | KRL1220-C-R025-F-T1.pdf | |
![]() | STP21N05 | STP21N05 ST TO-220 | STP21N05.pdf | |
![]() | MDL-S2E-B | MDL-S2E-B TI SMD or Through Hole | MDL-S2E-B.pdf |