창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIHF15N65E-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIHF15N65E | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | SIL-079-2014-Rev-0 26/Sep/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 15A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 280m옴 @ 8A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 96nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1640pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 34W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
공급 장치 패키지 | TO-220 풀팩(Full Pack) | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | SIHF15N65E-GE3CT SIHF15N65E-GE3CT-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIHF15N65E-GE3 | |
관련 링크 | SIHF15N6, SIHF15N65E-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
GRM1885C1H101FA01D | 100pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | GRM1885C1H101FA01D.pdf | ||
SRN6045TA-1R2Y | 1.2µH Unshielded Wirewound Inductor 7.5A 10.5 mOhm | SRN6045TA-1R2Y.pdf | ||
LBB110LSTR | LBB110LSTR CLARE DIPSOP | LBB110LSTR.pdf | ||
KPDSR2W | KPDSR2W KMW SMA | KPDSR2W.pdf | ||
PCF84C81AP/049/F2 | PCF84C81AP/049/F2 PHILIPS DIP | PCF84C81AP/049/F2.pdf | ||
MBG3368S | MBG3368S STANLEY 2009 | MBG3368S.pdf | ||
K183K10X7RF5H5 | K183K10X7RF5H5 VISHAY DIP | K183K10X7RF5H5.pdf | ||
MUX88AQ | MUX88AQ AD CDIP16 | MUX88AQ.pdf | ||
74HC00N,652 | 74HC00N,652 NXP SMD or Through Hole | 74HC00N,652.pdf | ||
LB2012C260NT | LB2012C260NT UWA SMD or Through Hole | LB2012C260NT.pdf | ||
IRF9393TRPBF-IR | IRF9393TRPBF-IR ORIGINAL SMD or Through Hole | IRF9393TRPBF-IR.pdf | ||
CS3610025 | CS3610025 ORIGINAL SOP | CS3610025.pdf |