창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIHF15N65E-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIHF15N65E | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | SIL-079-2014-Rev-0 26/Sep/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 15A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 280m옴 @ 8A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 96nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1640pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 34W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
공급 장치 패키지 | TO-220 풀팩(Full Pack) | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | SIHF15N65E-GE3CT SIHF15N65E-GE3CT-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIHF15N65E-GE3 | |
관련 링크 | SIHF15N6, SIHF15N65E-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | RNCF0805TTT11K0 | RES SMD 11K OHM 0.01% 1/8W 0805 | RNCF0805TTT11K0.pdf | |
![]() | LRC-LRF2010LF-01-R025-F | LRC-LRF2010LF-01-R025-F IRC SMD | LRC-LRF2010LF-01-R025-F.pdf | |
![]() | WD1A228M12020 | WD1A228M12020 SAMWH DIP | WD1A228M12020.pdf | |
![]() | TLV3502AID | TLV3502AID TI SMD or Through Hole | TLV3502AID.pdf | |
![]() | 6F50B | 6F50B IR DO-4 | 6F50B.pdf | |
![]() | KSH5027 | KSH5027 SEMIHOW SMD or Through Hole | KSH5027.pdf | |
![]() | 501I(ICS501MIT) | 501I(ICS501MIT) INTEGRATEDCIRCUITSYSTEMSICS IC | 501I(ICS501MIT).pdf | |
![]() | 1008CS-562XJLC | 1008CS-562XJLC LLIED SMD or Through Hole | 1008CS-562XJLC.pdf | |
![]() | UES501R | UES501R microsemi DO-5 | UES501R.pdf | |
![]() | WM8948ECS | WM8948ECS WOLFSON WCSP-36 | WM8948ECS.pdf | |
![]() | 0603-820R1% | 0603-820R1% XYT SMD or Through Hole | 0603-820R1%.pdf | |
![]() | 5D511KJ | 5D511KJ RUILON DIP | 5D511KJ.pdf |