창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIHD7N60E-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIHD7N60E | |
제품 교육 모듈 | High Voltage MOSFET E Series and PFC Device Selection | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | SIL-079-2014-Rev-0 26/Sep/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 600m옴 @ 3.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 40nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 680pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 78W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | D-Pak | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SIHD7N60EGE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIHD7N60E-GE3 | |
관련 링크 | SIHD7N6, SIHD7N60E-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | 06035U6R2BAT2A | 6.2pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.060" L x 0.030" W(1.52mm x 0.76mm) | 06035U6R2BAT2A.pdf | |
![]() | 7B11000024 | 11.0592MHz ±20ppm 수정 18pF -10°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 7B11000024.pdf | |
![]() | KTR10EZPJ110 | RES SMD 11 OHM 5% 1/8W 0805 | KTR10EZPJ110.pdf | |
![]() | H440R2BDA | RES 40.2 OHM 1/2W 0.1% AXIAL | H440R2BDA.pdf | |
![]() | 20413-01P | 20413-01P IPAIRGAIN QFP0707-48 | 20413-01P.pdf | |
![]() | TPA0152PWP | TPA0152PWP TI HTSSOP-24 | TPA0152PWP.pdf | |
![]() | XR29M70 | XR29M70 XR DIP14 | XR29M70.pdf | |
![]() | N03Q | N03Q NS SOT23-5 | N03Q.pdf | |
![]() | 2SC4672-Q.. | 2SC4672-Q.. ROHMA SOT-89 2A007 | 2SC4672-Q...pdf | |
![]() | 2272AQPWRG4Q1 | 2272AQPWRG4Q1 TI SMD or Through Hole | 2272AQPWRG4Q1.pdf | |
![]() | 2SA1283-T51-D | 2SA1283-T51-D ORIGINAL SMD or Through Hole | 2SA1283-T51-D.pdf | |
![]() | CMSZ5249B | CMSZ5249B CENTRAL SMD or Through Hole | CMSZ5249B.pdf |