창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIHD6N65E-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIHD6N65E-GE3 | |
제품 교육 모듈 | High Voltage MOSFET E Series and PFC Device Selection | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | SIL-079-2014-Rev-0 26/Sep/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 600m옴 @ 3A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 48nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 820pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 78W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | D-PAK(TO-252AA) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SIHD6N65E-GE3CT SIHD6N65E-GE3CT-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIHD6N65E-GE3 | |
관련 링크 | SIHD6N6, SIHD6N65E-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | CRCW121032R4FKTA | RES SMD 32.4 OHM 1% 1/2W 1210 | CRCW121032R4FKTA.pdf | |
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![]() | LMP2231BMFX | LMP2231BMFX NS SOT23-5 | LMP2231BMFX.pdf | |
![]() | 293D106X0020B2T | 293D106X0020B2T VISHAY SMD or Through Hole | 293D106X0020B2T.pdf | |
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![]() | JX0010D11NL | JX0010D11NL PULSE RJ45 | JX0010D11NL.pdf | |
![]() | OP04CJ | OP04CJ AD CAN | OP04CJ.pdf | |
![]() | CR02150RF002 | CR02150RF002 COMPOSTAR SMD | CR02150RF002.pdf | |
![]() | FF0128SA1E-R3000-S | FF0128SA1E-R3000-S JAE SMD or Through Hole | FF0128SA1E-R3000-S.pdf | |
![]() | SA40-19EWA | SA40-19EWA Kingbright DIP | SA40-19EWA.pdf | |
![]() | MP5511AD/883B | MP5511AD/883B PMI CDIP14 | MP5511AD/883B.pdf |