창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIHB6N65E-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIHB6N65E-GE3 | |
제품 교육 모듈 | High Voltage MOSFET E Series and PFC Device Selection | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | SIL-079-2014-Rev-0 26/Sep/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 600m옴 @ 3A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 48nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 820pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 78W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D²PAK(TO-263) | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | SIHB6N65E-GE3-ND SIHB6N65E-GE3TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIHB6N65E-GE3 | |
관련 링크 | SIHB6N6, SIHB6N65E-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
C0402C180J3GACTU | 18pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | C0402C180J3GACTU.pdf | ||
GQM2195C2E820GB12D | 82pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | GQM2195C2E820GB12D.pdf | ||
GRM0336T1E8R5DD01D | 8.5pF 25V 세라믹 커패시터 T2H 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GRM0336T1E8R5DD01D.pdf | ||
ADH025-00E | SENSOR MAG SW 10G CRS AXS 8-MSOP | ADH025-00E.pdf | ||
CAB-MUSB-A5 | CAB-MUSB-A5 BQCABLE SMD or Through Hole | CAB-MUSB-A5.pdf | ||
20R0 | 20R0 ORIGINAL SMD or Through Hole | 20R0.pdf | ||
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ADSP-2111-KG-52 | ADSP-2111-KG-52 AD FPG | ADSP-2111-KG-52.pdf | ||
IT7811TS | IT7811TS ORIGINAL SMD or Through Hole | IT7811TS.pdf | ||
NTP52N12 | NTP52N12 ORIGINAL SMD or Through Hole | NTP52N12.pdf |