창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIHB33N60EF-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIHB33N60EF | |
애플리케이션 노트 | Operation, FOM, and Guidelines for MOSFET Selection | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 33A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 98m옴 @ 16.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 155nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3454pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 278W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D²PAK(TO-263) | |
표준 포장 | 1,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIHB33N60EF-GE3 | |
관련 링크 | SIHB33N60, SIHB33N60EF-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
C410C103M5U5TA | 10000pF 50V 세라믹 커패시터 Z5U 축방향 0.100" Dia x 0.170" L(2.54mm x 4.32mm) | C410C103M5U5TA.pdf | ||
C1206C150K2GACTU | 15pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | C1206C150K2GACTU.pdf | ||
VJ1210Y823KBAAT4X | 0.082µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 1210(3225 미터법) 0.132" L x 0.098" W(3.35mm x 2.50mm) | VJ1210Y823KBAAT4X.pdf | ||
MKP1846247135V | 4700pF Film Capacitor 650V 1600V (1.6kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.709" L x 0.295" W (18.00mm x 7.50mm) | MKP1846247135V.pdf | ||
0.051R | 0.051R ORIGINAL 2512 | 0.051R.pdf | ||
17-21UWC/1B/TR | 17-21UWC/1B/TR EVERLIGHT ROHS | 17-21UWC/1B/TR.pdf | ||
LH5387NC | LH5387NC SHARP SMD-32 | LH5387NC.pdf | ||
SN74CBTD1G125DCKRE4 | SN74CBTD1G125DCKRE4 TI SC70-5 | SN74CBTD1G125DCKRE4.pdf | ||
GF2TI | GF2TI ORIGINAL SMD or Through Hole | GF2TI.pdf | ||
HAL300UA-K | HAL300UA-K MICRONAS TO-92S | HAL300UA-K.pdf | ||
NNCD5.6F 5.6V | NNCD5.6F 5.6V NEC SOT23 | NNCD5.6F 5.6V.pdf |