창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIHB33N60EF-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIHB33N60EF | |
애플리케이션 노트 | Operation, FOM, and Guidelines for MOSFET Selection | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 33A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 98m옴 @ 16.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 155nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3454pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 278W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D²PAK(TO-263) | |
표준 포장 | 1,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIHB33N60EF-GE3 | |
관련 링크 | SIHB33N60, SIHB33N60EF-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | GRM0336R1E200JD01D | 20pF 25V 세라믹 커패시터 R2H 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GRM0336R1E200JD01D.pdf | |
![]() | AOCJY4B-26.000MHZ-E | 26MHz CMOS OCXO Oscillator Through Hole 12V | AOCJY4B-26.000MHZ-E.pdf | |
![]() | S2B-13 | DIODE GEN PURP 100V 1.5A SMB | S2B-13.pdf | |
![]() | MTC8050C | MTC8050C KEC TO-92 | MTC8050C.pdf | |
![]() | MEP43-128 NPB | MEP43-128 NPB ORIGINAL BGA4 | MEP43-128 NPB.pdf | |
![]() | SE556F(556-1/BCA) | SE556F(556-1/BCA) PHI DIP14 | SE556F(556-1/BCA).pdf | |
![]() | 100324QI | 100324QI FAIRCHILD PLCC-28 | 100324QI.pdf | |
![]() | MAX4270B1 | MAX4270B1 MAXIM SOP8 | MAX4270B1.pdf | |
![]() | 74lv154d | 74lv154d ORIGINAL SMD or Through Hole | 74lv154d.pdf | |
![]() | APE1117x | APE1117x APEC TR | APE1117x.pdf |