창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIHB22N60S-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SiHB22N60S | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | SIL-079-2014-Rev-0 26/Sep/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 판매 중단 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 22A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 190m옴 @ 11A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 110nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2810pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 250W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | TO-263(D2Pak) | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | SIHB22N60S-E3TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIHB22N60S-E3 | |
관련 링크 | SIHB22N, SIHB22N60S-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
55560-0607-C | 55560-0607-C Molex SMD or Through Hole | 55560-0607-C.pdf | ||
IZA006PR | IZA006PR TI DIP | IZA006PR.pdf | ||
C3882 | C3882 ORIGINAL SOT-23 | C3882.pdf | ||
LTC2601IGN-1 | LTC2601IGN-1 Linear ssop-16 | LTC2601IGN-1.pdf | ||
SGL84605T | SGL84605T SGC TSSOP | SGL84605T.pdf | ||
XC95288XLBG256BEN | XC95288XLBG256BEN XILINX SMD or Through Hole | XC95288XLBG256BEN.pdf | ||
DS3695MA | DS3695MA NS SOP-8 | DS3695MA.pdf | ||
ALDIAV-1793 | ALDIAV-1793 PHILIPS QFP | ALDIAV-1793.pdf | ||
XC74UH00AAN | XC74UH00AAN TOREX SOT-353 | XC74UH00AAN.pdf | ||
UC1744 | UC1744 UNIDEN QFP | UC1744.pdf |