창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIHB21N65EF-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIHB21N65EF | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 21A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 180m옴 @ 11A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 106nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2322pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 208W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D²PAK(TO-263) | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | SiHB21N65EF-GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIHB21N65EF-GE3 | |
관련 링크 | SIHB21N65, SIHB21N65EF-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
08053C822MAT2A | 8200pF 25V 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.01mm x 1.25mm) | 08053C822MAT2A.pdf | ||
204-10SUGD/S400-A4 | 204-10SUGD/S400-A4 EVERLIGHT 2009 | 204-10SUGD/S400-A4.pdf | ||
X5328G | X5328G INTERSIL SOP8 | X5328G.pdf | ||
CC10-2405SR-E | CC10-2405SR-E LAMBDA SMD or Through Hole | CC10-2405SR-E.pdf | ||
MT58L256L36F7.5A | MT58L256L36F7.5A MICRON TQFP-100 | MT58L256L36F7.5A.pdf | ||
PC3D16Z | PC3D16Z SHARP SOP8 | PC3D16Z.pdf | ||
350MXC220M25X35 | 350MXC220M25X35 Rubycon DIP | 350MXC220M25X35.pdf | ||
CMF15ATR | CMF15ATR ORIGINAL SOD-123F | CMF15ATR.pdf | ||
STC89LE54AD-90C-PQJ | STC89LE54AD-90C-PQJ ORIGINAL SMD or Through Hole | STC89LE54AD-90C-PQJ.pdf | ||
68311-16/001 | 68311-16/001 DIALIGHT SMD or Through Hole | 68311-16/001.pdf | ||
LTC6702CDC#PBF | LTC6702CDC#PBF LINEAR DFN8 | LTC6702CDC#PBF.pdf |