창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIHB20N50E-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIHB20N50E | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 19A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 184m옴 @ 10A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 92nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1640pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 179W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D²PAK(TO-263) | |
표준 포장 | 1,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIHB20N50E-GE3 | |
관련 링크 | SIHB20N5, SIHB20N50E-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | 561R10TCUT15JE | 150pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 방사형, 디스크 | 561R10TCUT15JE.pdf | |
![]() | SMCG26CA-HR | TVS DIODE 26VWM 42.1VC SMCG | SMCG26CA-HR.pdf | |
![]() | P51-300-A-T-P-5V-000-000 | Pressure Sensor 300 PSI (2068.43 kPa) Absolute Female - 7/16" (11.11mm) UNF 1 V ~ 5 V Cylinder | P51-300-A-T-P-5V-000-000.pdf | |
![]() | LPF4027T-472M-B | LPF4027T-472M-B ABCO SMD | LPF4027T-472M-B.pdf | |
![]() | 54S253FMQB | 54S253FMQB FSC CSOP | 54S253FMQB.pdf | |
![]() | X357526 | X357526 VOGT SMD or Through Hole | X357526.pdf | |
![]() | SAB-C165-LF3V(HA) | SAB-C165-LF3V(HA) INFINEON QFP | SAB-C165-LF3V(HA).pdf | |
![]() | U20C60D | U20C60D MOP TO-220 | U20C60D.pdf | |
![]() | LH5387Y3 | LH5387Y3 SHARP SOP | LH5387Y3.pdf | |
![]() | SNALS192N | SNALS192N TI DIP | SNALS192N.pdf | |
![]() | DLP11SN201H2L | DLP11SN201H2L MURATA SMD or Through Hole | DLP11SN201H2L.pdf | |
![]() | 88W8682-BJN2 | 88W8682-BJN2 MARVELL BGA | 88W8682-BJN2.pdf |