창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIHB15N60E-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SiHB15N60E | |
제품 교육 모듈 | High Voltage MOSFET E Series and PFC Device Selection | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | SIL-079-2014-Rev-0 26/Sep/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 15A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 280m옴 @ 8A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 78nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1350pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 180W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | SIHB15N60EGE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIHB15N60E-GE3 | |
관련 링크 | SIHB15N6, SIHB15N60E-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
VJ0805D200MXCAP | 20pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D200MXCAP.pdf | ||
RT1210BRD0736RL | RES SMD 36 OHM 0.1% 1/4W 1210 | RT1210BRD0736RL.pdf | ||
4310R-101-475 | RES ARRAY 9 RES 4.7M OHM 10SIP | 4310R-101-475.pdf | ||
100UF/10V/5*5.3 | 100UF/10V/5*5.3 ORIGINAL SMD or Through Hole | 100UF/10V/5*5.3.pdf | ||
LYDQW27-7W-A | LYDQW27-7W-A ORIGINAL SMD or Through Hole | LYDQW27-7W-A.pdf | ||
GP1U28XD | GP1U28XD SHARP DIP-3 | GP1U28XD.pdf | ||
JMC2920 | JMC2920 JMC SOP-8 | JMC2920.pdf | ||
SED13705A100 | SED13705A100 EPSON TQFP80 | SED13705A100.pdf | ||
EL6293ES | EL6293ES Intersil QFN | EL6293ES.pdf | ||
ZO221524AEC | ZO221524AEC ORIGINAL SMD or Through Hole | ZO221524AEC.pdf | ||
SIW1501-NCE | SIW1501-NCE ORIGINAL MLFP | SIW1501-NCE.pdf | ||
MAX4866L | MAX4866L NULL NULL | MAX4866L.pdf |