창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIHB12N50C-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIH(P,B,F)12N50C-E3 | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | SIL-073-2014-Rev-0 13/Jun/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 555m옴 @ 4A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 48nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1375pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 208W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D²PAK(TO-263) | |
표준 포장 | 1,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIHB12N50C-E3 | |
관련 링크 | SIHB12N, SIHB12N50C-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
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![]() | TMK316SD683KF-T | 0.068µF 25V 세라믹 커패시터 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | TMK316SD683KF-T.pdf | |
![]() | TPSMP43HM3/84A | TVS DIODE 34.8VWM DO220AA | TPSMP43HM3/84A.pdf | |
![]() | SIT9122AI-1BF-33E622.000000Y | OSC XO 3.3V 622MHZ | SIT9122AI-1BF-33E622.000000Y.pdf | |
![]() | HCM49-7.680MABJT | HCM49-7.680MABJT CRYSTAL SMD | HCM49-7.680MABJT.pdf | |
![]() | FCN-568P068G/1594-4E | FCN-568P068G/1594-4E FUJIELE SMD or Through Hole | FCN-568P068G/1594-4E.pdf | |
![]() | 2SC5709 | 2SC5709 SANYO TO-252 | 2SC5709.pdf | |
![]() | MS6610BSTR | MS6610BSTR MOSA SOP8 | MS6610BSTR.pdf | |
![]() | CM105B563K16AT | CM105B563K16AT ORIGINAL SMD | CM105B563K16AT.pdf | |
![]() | BT494KG135 | BT494KG135 BT PGA | BT494KG135.pdf | |
![]() | MAX4522ESE+T | MAX4522ESE+T MAXIM SMD or Through Hole | MAX4522ESE+T.pdf | |
![]() | MCV 1,5/2-G-3,5 1843606 V0 | MCV 1,5/2-G-3,5 1843606 V0 PHO SMD or Through Hole | MCV 1,5/2-G-3,5 1843606 V0.pdf |