창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIHA12N60E-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIHA12N60E-E3 | |
제품 교육 모듈 | High Voltage MOSFET E Series and PFC Device Selection | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
주요제품 | Thin-Lead TO-220 FULLPAK | |
PCN 조립/원산지 | SIL-079-2014-Rev-0 26/Sep/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 380m옴 @ 6A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 58nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 937pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 33W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
공급 장치 패키지 | TO-220 풀팩(Full Pack) | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | SIHA12N60E-E3CT SIHA12N60E-E3CT-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIHA12N60E-E3 | |
관련 링크 | SIHA12N, SIHA12N60E-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | BFC233868159 | 4700pF Film Capacitor 300V 1000V (1kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.492" L x 0.197" W (12.50mm x 5.00mm) | BFC233868159.pdf | |
![]() | TNPW201076K8BEEY | RES SMD 76.8K OHM 0.1% 0.4W 2010 | TNPW201076K8BEEY.pdf | |
![]() | 4816P-2-682LF | RES ARRAY 15 RES 6.8K OHM 16SOIC | 4816P-2-682LF.pdf | |
![]() | AT27010-12 | AT27010-12 ORIGINAL SMD or Through Hole | AT27010-12.pdf | |
![]() | AR21122A-00 | AR21122A-00 ATHEROS QFN | AR21122A-00.pdf | |
![]() | 4.7UF50V 5*11 NP | 4.7UF50V 5*11 NP JWCO SMD or Through Hole | 4.7UF50V 5*11 NP.pdf | |
![]() | 350570-3 | 350570-3 ORIGINAL NEW | 350570-3.pdf | |
![]() | NB4L52MNG | NB4L52MNG ON SMD or Through Hole | NB4L52MNG.pdf | |
![]() | PC111LI | PC111LI SHARP DIP-6 | PC111LI.pdf | |
![]() | F30NM60N | F30NM60N ST TO-220F | F30NM60N.pdf | |
![]() | SY58040UMI | SY58040UMI MICREL QFN | SY58040UMI.pdf |