창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SIHA12N50E-E3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SIHA12N50E | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 10.5A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 380m옴 @ 6A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 50nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 886pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 32W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220 풀팩(Full Pack) | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SIHA12N50E-E3 | |
| 관련 링크 | SIHA12N, SIHA12N50E-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | 306DCR2R3STV | 30F Supercap 2.3V Radial, Can - Snap-In 100 mOhm @ 1kHz 1000 Hrs @ 70°C 0.492" Dia (12.50mm) | 306DCR2R3STV.pdf | |
![]() | UPC1246G-E1 | UPC1246G-E1 NEC SMD or Through Hole | UPC1246G-E1.pdf | |
![]() | TL2020 | TL2020 TI SOP-8 | TL2020.pdf | |
![]() | HSMF-A255-MZOJ1 | HSMF-A255-MZOJ1 AGILENT SMD or Through Hole | HSMF-A255-MZOJ1.pdf | |
![]() | FC4226 R25/R24 | FC4226 R25/R24 FC SMD or Through Hole | FC4226 R25/R24.pdf | |
![]() | 1934955 | 1934955 PHOENIX/WSI SMD or Through Hole | 1934955.pdf | |
![]() | SB330TR | SB330TR GS SMD or Through Hole | SB330TR.pdf | |
![]() | SP17922SCJ | SP17922SCJ ORIGINAL DIP | SP17922SCJ.pdf | |
![]() | EMS-2LH | EMS-2LH EIRE SMD or Through Hole | EMS-2LH.pdf | |
![]() | FDC6302P_Q | FDC6302P_Q FSC SMD or Through Hole | FDC6302P_Q.pdf | |
![]() | GZF11C | GZF11C VISHAY SOD-123 | GZF11C.pdf | |
![]() | FP6501P | FP6501P FITI SSOP24 | FP6501P.pdf |