창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SIHA12N50E-E3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SIHA12N50E | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 10.5A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 380m옴 @ 6A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 50nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 886pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 32W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220 풀팩(Full Pack) | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SIHA12N50E-E3 | |
| 관련 링크 | SIHA12N, SIHA12N50E-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | 416F27025ISR | 27MHz ±20ppm 수정 시리즈 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F27025ISR.pdf | |
![]() | 4A/30V D3FS | 4A/30V D3FS ORIGINAL DO-214 | 4A/30V D3FS.pdf | |
![]() | ZH300C48M | ZH300C48M ORIGINAL SMD or Through Hole | ZH300C48M.pdf | |
![]() | M393T6453FG0-CCC | M393T6453FG0-CCC Samsung Tray | M393T6453FG0-CCC.pdf | |
![]() | MAX1021A1RQ | MAX1021A1RQ MAXIM SOP | MAX1021A1RQ.pdf | |
![]() | C0603CH1E050CT | C0603CH1E050CT TDK SMD or Through Hole | C0603CH1E050CT.pdf | |
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![]() | CK45-B3AD102K | CK45-B3AD102K TDK SMD or Through Hole | CK45-B3AD102K.pdf | |
![]() | AM29F010B-90 | AM29F010B-90 AMD PLCC32. | AM29F010B-90.pdf |