창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIE868DF-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIE868DF | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 60A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.3m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 145nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6100pF @ 20V | |
전력 - 최대 | 125W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 10-PolarPAK® L | |
공급 장치 패키지 | 10-PolarPAK® L | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SIE868DF-T1-GE3TR SIE868DFT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIE868DF-T1-GE3 | |
관련 링크 | SIE868DF-, SIE868DF-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | PF2203-0R15F1 | RES 0.15 OHM 35W 1% TO220 | PF2203-0R15F1.pdf | |
![]() | IMM623010C | Inductive Proximity Sensor 0.394" (10mm) IP67 Cylinder, Threaded - M30 | IMM623010C.pdf | |
![]() | PESD3V3U1UT,215 | PESD3V3U1UT,215 NXP SMD or Through Hole | PESD3V3U1UT,215.pdf | |
![]() | E2G-M12KS03-WP-D2 | E2G-M12KS03-WP-D2 OMRON SMD or Through Hole | E2G-M12KS03-WP-D2.pdf | |
![]() | A007 | A007 ORIGINAL SMD or Through Hole | A007.pdf | |
![]() | MC7808 | MC7808 ORIGINAL SMD or Through Hole | MC7808.pdf | |
![]() | HMC1015 | HMC1015 HITTITE SMD or Through Hole | HMC1015.pdf | |
![]() | CO-E1-11AAR | CO-E1-11AAR Lantronix SMD or Through Hole | CO-E1-11AAR.pdf | |
![]() | PD2145I | PD2145I TI TSSOP14 | PD2145I.pdf | |
![]() | 91U1A-T22-B13L | 91U1A-T22-B13L bourns DIP | 91U1A-T22-B13L.pdf | |
![]() | MSCGLC-SX-MM | MSCGLC-SX-MM MSCDISTRI SMD or Through Hole | MSCGLC-SX-MM.pdf | |
![]() | CEB9060N | CEB9060N CET SMD or Through Hole | CEB9060N.pdf |