창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIE820DF-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIE820DF | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 단종/ EOL | PCN- SIL-0582013 05/Dec/2013 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 컷 테이프(CT) | |
부품 현황 | 단종 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.5m옴 @ 18A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 143nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4300pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 104W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 10-PolarPAK®(S) | |
공급 장치 패키지 | 10-PolarPAK®(S) | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | SIE820DF-T1-GE3CT | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIE820DF-T1-GE3 | |
관련 링크 | SIE820DF-, SIE820DF-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
KP1836247635 | 4700pF Film Capacitor 300V 630V Polypropylene (PP) Radial 0.709" L x 0.256" W (18.00mm x 6.50mm) | KP1836247635.pdf | ||
MCR25JZHFL7R50 | RES SMD 7.5 OHM 1% 1/2W 1210 | MCR25JZHFL7R50.pdf | ||
C52D | C52D GE SMD or Through Hole | C52D.pdf | ||
CSC91312GP | CSC91312GP HJG DIP | CSC91312GP.pdf | ||
SPD-M-3 | SPD-M-3 ORIGINAL SMD or Through Hole | SPD-M-3.pdf | ||
7-1437049-2 | 7-1437049-2 TYCO con | 7-1437049-2.pdf | ||
DSC11121-601 | DSC11121-601 DDC DIP | DSC11121-601.pdf | ||
SPA-1002-27 | SPA-1002-27 RFMD SMD or Through Hole | SPA-1002-27.pdf | ||
9-1437054-5 | 9-1437054-5 Tyco con | 9-1437054-5.pdf | ||
AIC1734-33CU(CD33) | AIC1734-33CU(CD33) ORIGINAL SOT23-3 | AIC1734-33CU(CD33).pdf | ||
9003-A08C00T2A | 9003-A08C00T2A Oupiin SMD or Through Hole | 9003-A08C00T2A.pdf |