창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIE818DF-T1-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIE818DF | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 75V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 60A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 9.5m옴 @ 16A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 95nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3200pF @ 38V | |
전력 - 최대 | 125W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 10-PolarPAK® L | |
공급 장치 패키지 | 10-PolarPAK® L | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SIE818DF-T1-E3TR SIE818DFT1E3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIE818DF-T1-E3 | |
관련 링크 | SIE818DF, SIE818DF-T1-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
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![]() | AQ125A121FAJME\250V | 120pF 50V 세라믹 커패시터 A 0606(1616 미터법) 0.055" L x 0.055" W(1.40mm x 1.40mm) | AQ125A121FAJME\250V.pdf | |
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![]() | IPP05CN10NG | IPP05CN10NG Infineon T0-220 | IPP05CN10NG.pdf | |
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![]() | SD537 | SD537 ORIGINAL SMD or Through Hole | SD537.pdf | |
![]() | A54SX16P-2PQ208 | A54SX16P-2PQ208 ACTEL QFP | A54SX16P-2PQ208.pdf | |
![]() | RH5RC502A-T1 / 502 | RH5RC502A-T1 / 502 RICOH SOT-89 | RH5RC502A-T1 / 502.pdf | |
![]() | 300QD11 | 300QD11 TOSHIBA STUD | 300QD11.pdf | |
![]() | LS656PLAST.SO20L | LS656PLAST.SO20L ORIGINAL SMD or Through Hole | LS656PLAST.SO20L.pdf |