창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIE812DF-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIE812DF | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 60A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.6m옴 @ 25A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 170nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 8300pF @ 20V | |
전력 - 최대 | 125W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 10-PolarPAK® L | |
공급 장치 패키지 | 10-PolarPAK® L | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIE812DF-T1-GE3 | |
관련 링크 | SIE812DF-, SIE812DF-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | FXO-HC530-74.25 | 74.25MHz HCMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 47mA Enable/Disable | FXO-HC530-74.25.pdf | |
![]() | 1210R-047M | 4.7nH Unshielded Inductor 1.562A 50 mOhm Max 2-SMD | 1210R-047M.pdf | |
![]() | 352222RFT | RES SMD 22 OHM 1% 3W 2512 | 352222RFT.pdf | |
![]() | ST19AF08BR-20QMAA | ST19AF08BR-20QMAA ST SOP-20P | ST19AF08BR-20QMAA.pdf | |
![]() | V58C2128164SBI6 | V58C2128164SBI6 xx xx | V58C2128164SBI6.pdf | |
![]() | XCS40XLPA240-4C | XCS40XLPA240-4C XILINX QFP | XCS40XLPA240-4C.pdf | |
![]() | 637474-01 | 637474-01 ORIGINAL QFP | 637474-01.pdf | |
![]() | ATI9000 216Q9NFCGA13FH | ATI9000 216Q9NFCGA13FH INTEL BGA | ATI9000 216Q9NFCGA13FH.pdf | |
![]() | SN74AHCT367 | SN74AHCT367 ORIGINAL NA | SN74AHCT367.pdf | |
![]() | TSA6380N | TSA6380N PHILIPS DIP20 | TSA6380N.pdf | |
![]() | LVX04SJ | LVX04SJ ORIGINAL SOP | LVX04SJ.pdf | |
![]() | K8D6316UBMPI07 | K8D6316UBMPI07 mot PGA | K8D6316UBMPI07.pdf |