창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIE808DF-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIE808DF | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 60A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.6m옴 @ 25A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 155nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 8800pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 125W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 10-PolarPAK® L | |
공급 장치 패키지 | 10-PolarPAK® L | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIE808DF-T1-GE3 | |
관련 링크 | SIE808DF-, SIE808DF-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | C1005JB1C104M050BA | 0.10µF 16V 세라믹 커패시터 JB 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | C1005JB1C104M050BA.pdf | |
![]() | SRU1048A-150Y | 15µH Shielded Wirewound Inductor 3.2A 40 mOhm Max Nonstandard | SRU1048A-150Y.pdf | |
![]() | RNF18FTD6R98 | RES 6.98 OHM 1/8W 1% AXIAL | RNF18FTD6R98.pdf | |
![]() | ADUC7128BCPZ126-RL | ADUC7128BCPZ126-RL ORIGINAL SMD or Through Hole | ADUC7128BCPZ126-RL.pdf | |
![]() | SL-8131A | SL-8131A ORIGINAL SMD or Through Hole | SL-8131A.pdf | |
![]() | 09P-392J-51 | 09P-392J-51 Fastron NA | 09P-392J-51.pdf | |
![]() | RKZ18B2KJ | RKZ18B2KJ RENESAS SOD-523 | RKZ18B2KJ.pdf | |
![]() | WSL1206R0400FTA | WSL1206R0400FTA VISHAY 1206 | WSL1206R0400FTA.pdf | |
![]() | 216M0SA27 | 216M0SA27 ORIGINAL SMD or Through Hole | 216M0SA27.pdf | |
![]() | OP910 | OP910 ORIGINAL SMD or Through Hole | OP910.pdf | |
![]() | CE1C471MKDANG16C | CE1C471MKDANG16C SANYO SMD | CE1C471MKDANG16C.pdf | |
![]() | RTB34524 | RTB34524 ORIGINAL DIP | RTB34524.pdf |