창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIB912DK-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIB912DK | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.5A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 216m옴 @ 1.8A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 3nC(8V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 95pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 3.1W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SC-75-6L 이중 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SC-75-6L 이중 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SIB912DK-T1-GE3TR SIB912DKT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIB912DK-T1-GE3 | |
관련 링크 | SIB912DK-, SIB912DK-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | KLNR010.T | FUSE CARTRIDGE 10A 250VAC/125VDC | KLNR010.T.pdf | |
![]() | AT64023 | AT64023 AGILENT SMD or Through Hole | AT64023.pdf | |
![]() | MS0850506F040P1A | MS0850506F040P1A E-SWITCH SMD or Through Hole | MS0850506F040P1A.pdf | |
![]() | TNETP3200GJC | TNETP3200GJC TI BGA | TNETP3200GJC.pdf | |
![]() | AD21060 KS160 | AD21060 KS160 AD QFP | AD21060 KS160.pdf | |
![]() | veh221m1e0810-tr0 | veh221m1e0810-tr0 elna SMD or Through Hole | veh221m1e0810-tr0.pdf | |
![]() | 341-0011-DO | 341-0011-DO GI DIP-24 | 341-0011-DO.pdf | |
![]() | LXT9863HCB3 | LXT9863HCB3 LXT QFP | LXT9863HCB3.pdf | |
![]() | MA8062M(6.2V) | MA8062M(6.2V) PANAsonic SMD or Through Hole | MA8062M(6.2V).pdf | |
![]() | S24C04BVEY | S24C04BVEY ORIGINAL QFP | S24C04BVEY.pdf | |
![]() | KTS500B105M31N0T00 | KTS500B105M31N0T00 NIPPON SMD | KTS500B105M31N0T00.pdf | |
![]() | C2- | C2- RICHTEK SMD or Through Hole | C2-.pdf |